很長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有聊半導(dǎo)體行業(yè)了，經(jīng)歷了2019年和2020年上半年的連續(xù)上漲，半導(dǎo)體行業(yè)的估值被大幅提升，下半年整體處于估值回落的下行周期，但芯片行業(yè)長(zhǎng)期向好的態(tài)勢(shì)并沒(méi)有改變，國(guó)產(chǎn)替代的邏輯也并沒(méi)有改變。

　　美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間2020年12 月18日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布實(shí)體清單，正式宣布將中國(guó)半導(dǎo)體制造企業(yè)中芯國(guó)際(行情688981,診股)列入“實(shí)體清單”，根據(jù)BIS的公告，中芯國(guó)際在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)（10 納米或以下）生產(chǎn)半導(dǎo)體所需的設(shè)備和材料都將被禁運(yùn)，以防止這種關(guān)鍵的技術(shù)支持中國(guó)的軍民融合工作。

　　外部的圍追堵截只能促使國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)加快發(fā)展，而現(xiàn)在半導(dǎo)體行業(yè)就迎來(lái)了新的利好，功率半導(dǎo)體即將步入高景氣周期。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研的信息，2020年 11-12月，海外品牌都缺貨，國(guó)產(chǎn)品牌也出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況，市場(chǎng)上的 MOSFET價(jià)格普遍上漲，幅度在10-20%之間。

　　新能源汽車帶動(dòng)功率半導(dǎo)體擴(kuò)容

　　數(shù)據(jù)顯示，2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為4121億美元，其中汽車行業(yè)貢獻(xiàn)了12.3%的占比，2010-2019年，汽車成為半導(dǎo)體行業(yè)需求增長(zhǎng)最快的行業(yè)，年復(fù)合增速高達(dá)9.2%，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體3.7%的增速水平。

　　值得一提的是，從傳統(tǒng)燃油車到新能源汽車，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用量實(shí)現(xiàn)了大幅度的提升。根據(jù)業(yè)內(nèi)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)汽車中半導(dǎo)體價(jià)值為450美元，功率器件為50美元，占比在10%左右，而新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車的功率器件占比增至40%，純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至55%。按照純電動(dòng)汽車半導(dǎo)體單車價(jià)值750美元計(jì)算，功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量約為455美元，相比傳統(tǒng)汽車新能源車功率半導(dǎo)體需求提升接近9倍。智能化程度的提升也增加了對(duì)于功率半導(dǎo)體的使用，據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，汽車領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)L2級(jí)別的自動(dòng)駕駛，將帶來(lái)160 美元/輛半導(dǎo)體器件的新增成本，未來(lái)進(jìn)入L3級(jí)別后，將增加成本至630美元/輛，L4/L5預(yù)計(jì)增加成本至970美元/輛，其中汽車功率半導(dǎo)體占比約為21%。

　　功率半導(dǎo)體是新能源汽車價(jià)值量提升最多的部分，新增功率器件價(jià)值量主要來(lái)自于汽車的“三電”系統(tǒng)，包括電力控制、電力驅(qū)動(dòng)和電池系統(tǒng)，囊括了IGBT、MOSFET 及多個(gè)IGBT集成的IPM模塊等產(chǎn)品。

　　以最核心的IGBT為例，IGBT俗稱絕緣柵雙極型晶體管，是國(guó)際上公認(rèn)的第三次電力電子技術(shù)革命中最具代表性的產(chǎn)品。2019年，我國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到155億元。根據(jù)Trendforce的預(yù)測(cè)，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)容，預(yù)計(jì)到2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到526億元，未來(lái)五年的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.11%。

　　不過(guò)這里有一個(gè)問(wèn)題值得關(guān)注，IGBT在600V以上具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，目前可應(yīng)用于6500V高壓，但在高壓領(lǐng)域，SiC MOSFET成為IGBT的有利競(jìng)爭(zhēng)者。SiC應(yīng)用于新能源車可以降低損耗、減小模塊體積重量、提升續(xù)航能力，Model3率先采用SiC，開(kāi)啟了電動(dòng)汽車使用SiC的歷程，2020年比亞迪(行情002594,診股)也采用了SiC模塊，有效提升了加速性能、功率及續(xù)航能力，豐田燃料電池車Mirai 車型搭載了SiC，功率模塊體積降低了30%，損耗降低了70%，但目前SiC還存在成本問(wèn)題，如果后期成本下降，那么其優(yōu)勢(shì)將會(huì)大幅凸顯。

　　格局與機(jī)遇

　　2019 年，全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到372億美元，前五家公司合計(jì)占49.1%，其中英飛凌位居第一，市占率 13.4%，該公司也是市場(chǎng)上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。汽車功率半導(dǎo)體全球第一大公司也是英飛凌，市占率25.5%，第二大公司為意法半導(dǎo)體，市占率 13.9%，前五家公司合計(jì)占比 62.1%，集中度較高。

　　放眼看世界，回頭看自己。中國(guó)汽車在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱，發(fā)展速度慢，但是近幾年中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展較快，也帶動(dòng)了IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)佐思汽研的數(shù)據(jù)，按照銷量數(shù)據(jù)來(lái)看，2019年英飛凌在中國(guó)新能源(行情600617,診股)汽車IGBT領(lǐng)域排名第一，占比高達(dá) 49.3%，其次是比亞迪，主要給自己配套，占比20%，斯達(dá)半導(dǎo)(行情603290,診股)體位居第三，市占率達(dá)到16.6%。

　　斯達(dá)半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，IGBT模塊銷售占公司銷售收入總額的95%以上，其中 1200V IGBT模塊的銷售收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入比例的 73%，是公司的最主要產(chǎn)品，其他電壓IGBT模塊收入占比24%。斯達(dá)半導(dǎo)體現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出平面柵NPT 型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場(chǎng)終止650V、750V、1200V及1700V全系列 IGBT芯片，最新一代FS-Trench芯片技術(shù)水平已位居世界前列。2016年—2019年，公司歸母凈利潤(rùn)分別為2146.47 萬(wàn)元、5271.96 萬(wàn)元、9674.28 萬(wàn)元和 1.35億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率 84.71%。與此同時(shí)，公司凈利率也在逐年攀升，同期分別為 6.65%、11.70%、14.29%和 17.40%。

　　除了斯達(dá)半導(dǎo)體，港股上市公司華虹半導(dǎo)體也是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，公司和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、無(wú)錫錫虹聯(lián)芯投資有限公司等在無(wú)錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)合資設(shè)立了華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司（“華虹無(wú)錫”）。一期項(xiàng)目投資25億美元，建有一座規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12 英寸（300mm）晶圓廠（華虹七廠），已于2019年正式落成并邁入生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)期，成為中國(guó)大陸領(lǐng)先的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，也是大陸第一條12英寸功率器件代工生產(chǎn)線。

　　上文提到過(guò)，第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用具備廣闊的前景，而聞泰科技(行情600745,診股)就押寶了這一領(lǐng)域。2019年，聞泰科技收購(gòu)了功率半導(dǎo)體大廠安世半導(dǎo)體，根據(jù)公司2020年9月《關(guān)于合肥廣坤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資中心（有限合伙）有限合伙份額轉(zhuǎn)讓項(xiàng)目中標(biāo)的公告》，公司當(dāng)時(shí)間接持有安世集團(tuán)98.23%的權(quán)益比例，收購(gòu)?fù)瓿珊髮⒊钟邪彩霞瘓F(tuán)100%股權(quán)，至此，公司業(yè)務(wù)領(lǐng)域已涵蓋通訊和功率半導(dǎo)體兩大業(yè)務(wù)板塊。

　　據(jù)IHS Markit的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，安世半導(dǎo)體二極管和晶體管排名第一，邏輯器件排名第二（僅次于TI），ESD保護(hù)器件排名第二，小信號(hào)MOSFET排名第二，汽車功率 MOSFET排名第二（僅次于英飛凌）。目前安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品中二、三極管約占其業(yè)務(wù)的 40%，MOSFET約占 25%，合計(jì)功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比近 65%。此外，安世半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體的布局已經(jīng)有很多年了，技術(shù)積累深厚，其研制的GaN產(chǎn)品克服了當(dāng)前主流GaN出現(xiàn)的穩(wěn)定性、可靠性、尺寸不適應(yīng)性等問(wèn)題。2020年6月，安世發(fā)布650V GaN-on-Si FET，實(shí)現(xiàn)了 GaN產(chǎn)品性能指標(biāo)的全面升級(jí)，新推出的“H2 GaN”技術(shù)可有效縮小芯片尺寸約24%，導(dǎo)通電阻最大值降低到41mΩ。

　　短期來(lái)看，功率半導(dǎo)體有望受益于供不應(yīng)求的行業(yè)格局，漲價(jià)推動(dòng)景氣度的上行，中長(zhǎng)期來(lái)看，新能源汽車帶來(lái)的擴(kuò)容和國(guó)產(chǎn)替代將會(huì)是主要的推動(dòng)邏輯。