科研人員將存儲(chǔ)芯片容量提升1000倍 譽(yù)為“終極儲(chǔ)存”（股）
據(jù)報(bào)道，韓國(guó)技術(shù)信息部宣布該國(guó)研究團(tuán)隊(duì)利用可以代替現(xiàn)有DRAM或NAND閃存的新一代候選“鐵電體存儲(chǔ)器（FRAM）”，將存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量提高 了1000 倍；同時(shí)通過對(duì)鐵電體物質(zhì)氧化鉿施加3-4V的電壓，致使原子之間的力量斷裂，每個(gè)原子都可以自由移動(dòng)，從而理論上可將線幅縮小至0.5納米。
現(xiàn)有半導(dǎo)體的最小線幅為5納米，此次發(fā)現(xiàn)在理論上可以進(jìn)一步減少到十分之一以下。從而“在相同的空間里儲(chǔ)存1000 倍以上的信息”。該項(xiàng)目負(fù)責(zé)人李準(zhǔn)熙教授表示：“在原子中儲(chǔ)存信息的技術(shù)，在不分裂原子的情況下成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終極儲(chǔ)存技術(shù)的幾率很高。”值得注意的是，F(xiàn)RAM是現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料，被認(rèn)為商用化的可能性非常高。
相關(guān)上市公司：
上海貝嶺(行情600171,診股)：存儲(chǔ)芯片已形成系列產(chǎn)品，公司“鐵電體存儲(chǔ)器芯片”項(xiàng)目被列為國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新重點(diǎn)新產(chǎn)品；
東方鋯業(yè)(行情002167,診股)：旗下有氧化鉿產(chǎn)品。
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