臺積電3nm工藝新消息：大規(guī)模量產(chǎn)時間計(jì)劃在2022年(2)
相關(guān)新聞：
臺積電：搶跑“3nm時代”
此前，臺積電公司首席財(cái)務(wù)官Wendell Huang表示，受5G智能手機(jī)、高性能計(jì)算和信息技術(shù)相關(guān)應(yīng)用的推動，市場對由臺積電代工的5nm和7nm制程芯片的強(qiáng)勁需求將提振其第三季度的銷售業(yè)績。
從臺積電上一季度財(cái)報(bào)表現(xiàn)來看，16nm和7nm工藝仍是該公司第二季度營收的主要來源。其中，16nm工藝貢獻(xiàn)了18%的營收，7nm工藝貢獻(xiàn)了36%的營收，而28nm工藝則貢獻(xiàn)了14%的營收。
雖然未披露5nm工藝的營收狀況，但從當(dāng)前5nm工藝芯片的應(yīng)用市場來看，主要被華為、蘋果兩大手機(jī)廠商分走了臺積電大部分5nm產(chǎn)能，主要就是為了即將搭載在各自年度旗艦手機(jī)上的麒麟9000芯片和蘋果A14芯片。
在最新的先進(jìn)工藝制程研發(fā)上，臺積電在技術(shù)研討會上再次拋出重磅消息：N3 3nm工藝研發(fā)取得重大突破，計(jì)劃3nm芯片在2021 年進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)，2022 年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
資料顯示，臺積電3nm工藝不會像三星那樣選擇GAA晶體管技術(shù)，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術(shù)進(jìn)行開發(fā)。N3 3nm工藝與N5 5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10~15%，相同性能下功耗減少約25~30%，前者邏輯區(qū)域密度提升1.7倍，但SRAM密度僅提升20%，模擬電路部分密度提升約10%，因此芯片層面上可能僅縮小26%左右。